注意事項:
一. 一般情況下不允許修改R 的標準值（電阻并聯(lián)電阻除外）
二. 修改程式的上下范圍必須按以下的標準執行 .
ü 跳線(xiàn)﹑ Connecter ﹑Fuse﹑電感﹑排感 ﹕
以J測試﹐ Exp-V用1表示﹐+-10% ﹐MODE為 0 ﹐無(wú)Guarding ， 無(wú) Offset 。
跳線(xiàn)﹕ 當Pin-Pin間有跳帽時(shí)﹐Exp-V用1表示﹐否則Pin-Pin間測試Exp-V采用4表示。
開(kāi)關(guān)探針﹕ 以J測試﹐ Exp-V用1表示+-10% ﹐MODE為 0
ü 電阻﹑排阻 ﹕
1﹑0 Ω ﹕按3 Ω 為標準﹐+10%﹐-1%﹔或按J測試﹐MODE為1﹐無(wú)Offset﹐+-10%
2﹑2.2 Ω : +60%﹐-30%﹐一般不采用MODE 3﹐無(wú)Guarding
3﹑4.7 Ω : +40%﹐-20%﹐ 一般不采用MODE 3 , 無(wú)Guarding
4﹑10.0 Ω ﹕ +15%﹐ -10%﹐一般不采用MODE 3﹐可根據各機臺稍加Offset
5﹑10. 0Ω 以上﹕ +-10%﹐一般不采用MODE 3 ﹐不加 Offset
6﹑熱敏電阻﹕可適當放寬范圍 , 一般不采用MODE 3﹔
7﹑電阻并聯(lián)﹐可按并聯(lián)值(R 1 *R 2 )/(R 1 +R 2 )作標準值﹔+-10% 一般不采用MODE 3
8﹑NC元件﹕一般50KΩ為標準值﹐+Lim:-1% ﹐-Lim﹕10% ﹐有并聯(lián)除外
9﹑并聯(lián) IC 時(shí)﹐100K以上電阻+Lim﹕+10%﹔-Lim﹕可稍放寬
10﹑ No Pin的電阻可適當考慮用串聯(lián)的方式進(jìn)行測試﹐ 小電阻并聯(lián)大電阻相差20倍時(shí)﹐大電阻不予測試﹔
11﹑蜂鳴器﹕做電阻測試﹐Exp-V采用44ohm （據實(shí)際情況） ﹐+-10%﹐無(wú) Guarding ﹐ 一般不采用MODE 3
12﹑FET管作電阻測試﹕Mode 一定 為5﹐+20%﹐ -10% ﹔也可直接選用Type:QF,Mode:22或23
13﹑對測試極不穩定的電阻﹐可按PCA上實(shí)際電阻量測值作為Exp-V或根據線(xiàn)路圖分析﹔
14﹑BOM-V一律根據BOM進(jìn)行填寫(xiě)。
15﹑可調電阻﹐以最大值測試﹐+-10% ；或取中間值測試，+ -50%。
ü 電容、排容﹕
1. 10PF或10PF以下電容﹐測試會(huì )極不穩定﹐Exp-V可加大到30PF或50PF﹐+50%,-40%,也可依實(shí)際情況定Exp-V﹐offset定好后不允許隨意更改﹔ 具體依DEBUG原則﹔
2. 10PF以上﹐1nF以下﹐+45%,-35%, offset定好后不允許隨意更改﹔Mode參見(jiàn)Debug原則﹔
3. Exp-V ﹕1nF~99nF﹐+45%,-35%, Mode參見(jiàn)Debug原則﹔
4. Exp-V ﹕100nF﹕+70%,-30%﹐ 無(wú)Offset , Mode參見(jiàn)Debug原則﹔
5. Exp-V ﹕1uF﹕+40%,-30%﹐ 無(wú)Offset , Mode參見(jiàn)Debug原則﹔
6. Exp-V ﹕10uF以上﹐470uF以下﹐+-30%﹐Mode參見(jiàn)Debug原則﹔
7. Exp-V﹕470uF以上﹐+-20%﹐
8. 并聯(lián)電容Exp-V= C 1 +C 2 + …… + C n ﹐
9. NC元件﹕可以不進(jìn)行測試﹔
10. FET管作電容測試﹕Exp-V約2~10nF﹐+20%﹐-15%﹐Exp-V定下后不能隨意更改﹔
11. BOM-V一律根據BOM進(jìn)行填寫(xiě)﹔NC元件BOM-V為0u﹔
12. 小電容并大電容﹐相差20倍以上﹐小電容可以不予測試 (C 1 /(C 1 +C 2 +…C n ))<=5%) 。
13. 微法級電容的電容值小於 1000uF ， Mode4 的測試會(huì )比 Mode8 來(lái)得好且速度也較快;
14. 較大微法級電容值測試不穩時(shí)﹐可以加放電﹔
15. 當規定的Limit 與 BOM上規定的 小時(shí) ﹐一律依據BOM作為標準。
16. 電容極性測試：必加三端測試針，MODE8、18。EXP-V：0.2V,G 以第三腳為G。
17. 實(shí)際值以 5V ～ 10V 量測時(shí)，標準值之漏電流值約 0.2mA ～ 0.5mA ，若反插時(shí) , 其反向漏電流值會(huì )遠大於正向漏電流值。高點(diǎn)之腳號即是電容＋端之測試針號碼 , 而低點(diǎn)之腳號即是電容－端之測試針號碼，通常須加較大的延遲時(shí)間，漏電流才會(huì )穩定。
ü 電感﹕ 除了作J測試外﹐電感主要以L(fǎng)測試﹐+-30%
ü 二極體﹕
1. 發(fā)光二極管用D作Type﹐Mode 用1或 24﹐當用24Mode時(shí)﹐Exp-V為1. 5V 不允許交換高低點(diǎn)﹐ 偏差 +-30% （把管子點(diǎn)亮）
2. 每個(gè)二極管分作兩步測試﹕高﹑低點(diǎn)互調測試﹐不允許交換高低點(diǎn)和修改Exp-V, 范圍依(1)規定。
ü 三極管﹕
1. 以 Q 測試﹕+-30% ﹐ 具體參考 Debug原則 ﹐ 不允許交換高低點(diǎn)
2. 以QH為T(mén)ype的三端測試﹐+-30%﹐ 具體參考 Debug原則﹐ 不允許交換高低點(diǎn)
3. 以上3種方法測試必須同時(shí)使用﹔選用Mode時(shí)必須參考其實(shí)際為PNP還是NPN
4. NC時(shí)﹐采用Type:QN測試﹐ BOM-V﹕0.7V﹐ Exp-V為0.7V左右﹐+-30 %
ü FET管﹕
1. 以QF為T(mén)ype﹐量測漏電流 Ids ﹐ Bom-V依線(xiàn)路圖提供的電壓供給﹐ +-30%﹐不允許交換高低點(diǎn)﹐其Guarding Pin為G。
2. 以QF為T(mén)ype﹐量測漏電流 Vds ﹐ Bom-V依線(xiàn)路圖提供的電壓供給﹐+30%﹐-1%﹐Exp-V:0.2V, 不允許交換高低點(diǎn) ﹐ 其Guarding Pin為G 。
3. 還 必須同時(shí)采用電阻 或 電容測試﹔不允許交換高低點(diǎn)
ü Clamping Diode
1. 對GND量測﹐+-30%﹐Mode 為2﹐ Guarding Pin 以它本身學(xué)到的為準﹐ 不允許交換高低點(diǎn)﹔
2. 對VCC量測﹐+-30%﹐Mode 為2﹐ Guarding Pin 以它本身學(xué)到的為準﹐ 不允許交換高低點(diǎn)﹔
3. 測試不穩定時(shí)﹐可加放電或4ms以?xún)鹊难舆t或重測。
4. 當標準樣板測試值小于0.1V時(shí)﹐可以0.1V為Exp-V﹐+30%,-1%﹔
5. 對于較脆弱的Clamping Diode,可根據實(shí)際情況決定其是否測試
6. 如有幾種料導致無(wú)法測試時(shí)﹐可舍測其中一種。
ü IC Open﹕ 學(xué)習好的IC OPEN接受值﹐其Limit為+80%﹐-40%﹐之中不能加放電﹐單片測試值如與整體統計值偏差較大時(shí)﹐應找其他原因﹐不能改動(dòng)設定值。
ü 其他﹕ A: 78L05做三極管測試 1#﹔B:加測 網(wǎng)卡12﹑13腳對地阻抗﹔C﹕加測PWM測試阻抗﹔
ü NOTES﹕電阻﹑Connector上的排針﹑感﹑二極管可電測率應盡量保持在100%。
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